半導體分析應用單級高壓微型減壓閥

半導體分析應用單級高壓微型減壓閥

1. 基本規(guī)格

• 最高輸入壓力：30 MPa（≈4 350 psi）
• 輸出調(diào)整范圍：0.05～0.35 / 0.1～0.7 / 0.2～1.6 MPa 三檔彈簧可選
• 流量系數(shù) Cv：0.08（GHSN-3）
• 閥體材質(zhì)：SUS316L 全金屬，電解拋光 Ra ≤ 0.25 µm
• 密封材質(zhì)：PCTFE（閥針）、Viton/EPDM（O-ring）可選
• 連接口徑：入口 1/4" VCR 內(nèi)螺紋（面密封）
  出口 1/4" VCR 或 Rc1/4 內(nèi)螺紋
• 重量：約 0.7 kg
• 使用溫度：-20 ℃～+70 ℃（環(huán)境）

2. 結構特點

• 單級減壓 + 平衡閥芯 → 30 MPa 一次降到位，出口波動 ≤ ±0.01 MPa
• 內(nèi)部容積 1.8 mL，死區(qū)小，吹掃置換快
• 閥針帶 10 µm 級過濾器，防止高壓顆粒劃傷密封面
• 手輪為防脫落結構，帶鎖緊螺母，振動環(huán)境不漂移
• 可選自泄壓（Relief）型 GHSN-3R，當出口超壓 15 % 自動泄放
• 可選面板安裝螺母，厚度 1.5–10 mm 通用

3. 流量特性（氮氣例）
   入口 30 MPa / 出口 0.7 MPa 時，最大流量約 8 Nm3/h；
   入口 15 MPa / 出口 0.2 MPa 時，約 4 Nm3/h（足夠滿足單臺分析機臺或激光混合箱消耗）
4. 選型后綴
   GHSN-3-A-35-VR
   │ │ │ │ └── VCR 接口
   │ │ │ └---- 0.05-0.35 MPa 彈簧
   │ │ └------ R = 帶泄壓，無記號 = 標準型
   │ └-------- A = Viton O-ring，E = EPDM
   └----------- 3 = 基本型號
5. 應用示例

• 半導體刻蝕 MIX 箱：高壓 Ar/CF? 瓶 → GHSN-3 → 0.3 MPa 進質(zhì)量流量控制器
• 實驗室 GC 載氣：He 瓶 20 MPa → 減壓 0.6 MPa 供色譜儀
• 激光氣體：高壓 CO? 混合氣一次減壓到 0.8 MPa，再進二級微調(diào)閥
• 電廠儀表：高壓 N? 瓶吹掃，一次減壓 1 MPa 供母管

6. 安裝與使用注意

• 入口必須配高壓截止閥與過濾器（40 µm）
• 建議垂直安裝（手輪向上），可減少閥芯自重引起的零漂
• 氣：微開入口閥，0.5 MPa 預吹 10 s，再緩慢升至工作壓力
• 長期不用：關閉瓶閥，打開出口泄放，旋鈕逆時針回零，保持彈簧松弛

7. 維護與壽命

• 密封壽命：在 30 MPa/常溫/N? 條件下，開關 10 000 次泄漏率 ≤ 1×10?? Pa·m3/s
• 大修周期：3 年或 20 000 次，更換閥針與 O-ring，原廠提供高壓清潔與再校準服務